IRF7555TR
Número de pieza:
IRF7555TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18235 Pieces
Ficha de datos:
IRF7555TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:Micro8™
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Potencia - Max:1.25W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres:IRF7555DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7555TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1066pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A
Email:[email protected]

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