IRF7233PBF
IRF7233PBF
Número de pieza:
IRF7233PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13496 Pieces
Ficha de datos:
IRF7233PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:600mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SP001563450
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF7233PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:74nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:[email protected]

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