IRF710PBF
IRF710PBF
Número de pieza:
IRF710PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15929 Pieces
Ficha de datos:
1.IRF710PBF.pdf2.IRF710PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):36W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:*IRF710PBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF710PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 400V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:400V
Descripción:MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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