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IRF7106
- Número de pieza:
- IRF7106
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14019 Pieces
- Ficha de datos:
- IRF7106.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF7106, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF7106 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 125 mOhm @ 1A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRF7106 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2.5A |
| Email: | [email protected] |
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