IRF6785MTRPBF
IRF6785MTRPBF
Número de pieza:
IRF6785MTRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14979 Pieces
Ficha de datos:
IRF6785MTRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MZ
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 4.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 57W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MZ
Otros nombres:IRF6785MTRPBF-ND
IRF6785MTRPBFTR
SP001562032
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF6785MTRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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