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IRF6665TR1PBF
- Número de pieza:
- IRF6665TR1PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18654 Pieces
- Ficha de datos:
- IRF6665TR1PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRF6665TR1PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRF6665TR1PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ SH |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric SH |
| Otros nombres: | IRF6665TR1PBFTR SP001564530 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRF6665TR1PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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