IRF6633TRPBF
IRF6633TRPBF
Número de pieza:
IRF6633TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15737 Pieces
Ficha de datos:
IRF6633TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DIRECTFET™ MP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.6 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DirectFET™ Isometric MP
Otros nombres:IRF6633TRPBFTR
SP001524770
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF6633TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 16A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 59A (Tc)
Email:[email protected]

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