Comprar IRF6609 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.45V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ MT |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 2 mOhm @ 31A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric MT |
Otros nombres: | IRF6609TR SP001523768 |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Número de pieza del fabricante: | IRF6609 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6290pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 69nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
Descripción: | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |