IRF6100PBF
Número de pieza:
IRF6100PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16850 Pieces
Ficha de datos:
IRF6100PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-FlipFet™
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-FlipFet™
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Número de pieza del fabricante:IRF6100PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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