IRF5810
IRF5810
Número de pieza:
IRF5810
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12225 Pieces
Ficha de datos:
IRF5810.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-TSOP
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max:960mW
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF5810
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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