IRF540NLPBF
IRF540NLPBF
Número de pieza:
IRF540NLPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18616 Pieces
Ficha de datos:
IRF540NLPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:44 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):130W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRF540NLPBF
SP001571292
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF540NLPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:71nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

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