IRF3415L
IRF3415L
Número de pieza:
IRF3415L
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12361 Pieces
Ficha de datos:
IRF3415L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:42 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRF3415L
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRF3415L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:43A (Tc)
Email:[email protected]

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