IRF3205LPBF
IRF3205LPBF
Número de pieza:
IRF3205LPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15950 Pieces
Ficha de datos:
IRF3205LPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 62A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:*IRF3205LPBF
SP001564458
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRF3205LPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:146nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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