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IRD3CH101DB6
- Número de pieza:
- IRD3CH101DB6
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13497 Pieces
- Ficha de datos:
- IRD3CH101DB6.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRD3CH101DB6, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRD3CH101DB6 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | Die |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 360ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | SP001535420 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRD3CH101DB6 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 3.6µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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