Comprar IPZ60R099P6FKSA1 con BYCHPS
Compre con garantía
IPZ60R099P6FKSA1
- Número de pieza:
- IPZ60R099P6FKSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V TO247-4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15968 Pieces
- Ficha de datos:
- IPZ60R099P6FKSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPZ60R099P6FKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPZ60R099P6FKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 1.21mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO247-4 |
| Serie: | CoolMOS™ P6 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 278W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-4 |
| Otros nombres: | SP001313882 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IPZ60R099P6FKSA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3330pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V TO247-4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 37.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IPZ60R099P6FKSA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
AON6914 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | Investigación |
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | Investigación |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | Investigación |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | Investigación |
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Investigación |
 |
FQAF19N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF | Investigación |
 |
STW75NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 | Investigación |
|
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | Investigación |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Investigación |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Investigación |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog