IPW65R041CFD
IPW65R041CFD
Número de pieza:
IPW65R041CFD
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16194 Pieces
Ficha de datos:
IPW65R041CFD.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 3.3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO247-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:41 mOhm @ 33.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPW65R041CFD
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8400pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:68.5A (Tc)
Email:[email protected]

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