IPW50R199CPFKSA1
IPW50R199CPFKSA1
Número de pieza:
IPW50R199CPFKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19268 Pieces
Ficha de datos:
IPW50R199CPFKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 660µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO247-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):139W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPW50R199CPFKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:550V
Descripción:MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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