Comprar IPU60R600C6AKMA1 con BYCHPS
Compre con garantía
VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 200µA |
---|---|
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO251-3 |
Serie: | CoolMOS™ C6 |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 63W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres: | SP001292878 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPU60R600C6AKMA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |