IPP80P03P4L04AKSA1
IPP80P03P4L04AKSA1
Número de pieza:
IPP80P03P4L04AKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16602 Pieces
Ficha de datos:
IPP80P03P4L04AKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 253µA
Vgs (Max):+5V, -16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.4 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):137W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP80P03P4L04AKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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