IPP70N10S3L12AKSA1
IPP70N10S3L12AKSA1
Número de pieza:
IPP70N10S3L12AKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19328 Pieces
Ficha de datos:
IPP70N10S3L12AKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 83µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:12.1 mOhm @ 70A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP70N10S3L12AKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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