IPP12CN10LGXKSA1
IPP12CN10LGXKSA1
Número de pieza:
IPP12CN10LGXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12815 Pieces
Ficha de datos:
IPP12CN10LGXKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 83µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 69A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP12CN10LGXKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5600pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:69A (Tc)
Email:[email protected]

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