IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3GXKSA1
Número de pieza:
IPP030N10N3GXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12605 Pieces
Ficha de datos:
IPP030N10N3GXKSA1.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPP030N10N3GXKSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPP030N10N3GXKSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPP030N10N3GXKSA1 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 275µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPP030N10N3GXKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:206nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios