Comprar IPP020N06NAKSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.8V @ 143µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO-220-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 2 mOhm @ 100A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3W (Ta), 214W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | IPP020N06N IPP020N06N-ND SP000917406 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IPP020N06NAKSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7800pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 106nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |