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IPL60R299CP
- Número de pieza:
- IPL60R299CP
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16843 Pieces
- Ficha de datos:
- IPL60R299CP.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPL60R299CP, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPL60R299CP por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 440µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-VSON-4 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 96W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-PowerTSFN |
| Otros nombres: | IPL60R299CP-ND IPL60R299CPAUMA1 SP000841896 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPL60R299CP |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 11.1A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 650V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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