IPI65R280C6XKSA1
IPI65R280C6XKSA1
Número de pieza:
IPI65R280C6XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17382 Pieces
Ficha de datos:
IPI65R280C6XKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 440µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO262-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 4.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):104W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPI65R280C6XKSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.8A (Tc)
Email:[email protected]

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