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IPG20N10S4L35ATMA1
- Número de pieza:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19703 Pieces
- Ficha de datos:
- IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPG20N10S4L35ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPG20N10S4L35ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 16µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8-4 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Potencia - Max: | 43W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | SP000859022 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1105pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
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