IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
Número de pieza:
IPD80R2K8CEATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16961 Pieces
Ficha de datos:
IPD80R2K8CEATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 120µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs:2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):42W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001130970
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD80R2K8CEATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.9A (Tc)
Email:[email protected]

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