IPD75N04S406ATMA1
IPD75N04S406ATMA1
Número de pieza:
IPD75N04S406ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19888 Pieces
Ficha de datos:
IPD75N04S406ATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 26µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3-313
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5.9 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):58W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD75N04S4-06
IPD75N04S4-06-ND
SP000711472
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD75N04S406ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 75A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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