IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1
Número de pieza:
IPD350N06LGBTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14565 Pieces
Ficha de datos:
IPD350N06LGBTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 28µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 29A, 10V
La disipación de energía (máximo):68W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD350N06L G
IPD350N06L G-ND
IPD350N06LG
IPD350N06LGXT
SP000204197
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD350N06LGBTMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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