IPD180N10N3 G
IPD180N10N3 G
Número de pieza:
IPD180N10N3 G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19578 Pieces
Ficha de datos:
IPD180N10N3 G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 33µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo):71W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:IPD180N10N3 GDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD180N10N3 G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:43A (Tc)
Email:[email protected]

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