IPD14N06S280ATMA2
IPD14N06S280ATMA2
Número de pieza:
IPD14N06S280ATMA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18569 Pieces
Ficha de datos:
IPD14N06S280ATMA2.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IPD14N06S280ATMA2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IPD14N06S280ATMA2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IPD14N06S280ATMA2 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 14µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3-11
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo):47W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001063642
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPD14N06S280ATMA2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:293pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios