IPD12CNE8N G
IPD12CNE8N G
Número de pieza:
IPD12CNE8N G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15534 Pieces
Ficha de datos:
IPD12CNE8N G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 83µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:12.4 mOhm @ 67A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP000096477
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IPD12CNE8N G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:64nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:85V
Descripción:MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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