IPB065N03L G
IPB065N03L G
Número de pieza:
IPB065N03L G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19702 Pieces
Ficha de datos:
IPB065N03L G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:6.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):56W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB065N03LG
IPB065N03LGATMA1
IPB065N03LGINTR
IPB065N03LGXT
SP000254709
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB065N03L G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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