IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1
Número de pieza:
IPB027N10N3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19463 Pieces
Ficha de datos:
IPB027N10N3GATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 275µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):300W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3G
SP000506508
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IPB027N10N3GATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:206nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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