IMH21T110 - Rohm Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas IMH21T110

IMH21T110

Número de pieza:: IMH21T110

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descripción:: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 15355 Pieces

Ficha de datos:: IMH21T110.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	20V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	SMT6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	10k
Potencia - Max:	300mW
embalaje:	Original-Reel®
Paquete / Cubierta:	SC-74, SOT-457
Otros nombres:	IMH21T110DKR
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:	10 Weeks
Número de pieza del fabricante:	IMH21T110
Frecuencia - Transición:	150MHz
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descripción:	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	820 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	600mA
Email:	[email protected]

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