IDH10G65C5XKSA1
IDH10G65C5XKSA1
Número de pieza:
IDH10G65C5XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16181 Pieces
Ficha de datos:
IDH10G65C5XKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:PG-TO220-2
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:thinQ!™
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-2
Otros nombres:IDH10G65C5
IDH10G65C5-ND
SP000925208
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IDH10G65C5XKSA1
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:340µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):10A (DC)
Capacitancia Vr, F:300pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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