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IDD04S60C
- Número de pieza:
- IDD04S60C
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12752 Pieces
- Ficha de datos:
- IDD04S60C.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IDD04S60C, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IDD04S60C por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.9V @ 4A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | thinQ!™ |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | IDD04S60CCT IDD04S60CCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | IDD04S60C |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 5.6A Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 5.6A |
| Capacitancia Vr, F: | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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