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IDB09E60ATMA1
- Número de pieza:
- IDB09E60ATMA1
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19586 Pieces
- Ficha de datos:
- IDB09E60ATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IDB09E60ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IDB09E60ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2V @ 9A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 75ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | IDB09E60 IDB09E60-ND SP000013914 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IDB09E60ATMA1 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 19.3A (DC) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 19.3A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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