HUFA76639S3S
HUFA76639S3S
Número de pieza:
HUFA76639S3S
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13657 Pieces
Ficha de datos:
HUFA76639S3S.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:26 mOhm @ 51A, 10V
La disipación de energía (máximo):180W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HUFA76639S3S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

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