HUFA75652G3
Número de pieza:
HUFA75652G3
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12362 Pieces
Ficha de datos:
HUFA75652G3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):515W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:HUFA75652G3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7585pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:475nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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