HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistores-bipolar (BJT)-matrices HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

Número de pieza:: HN4A06J(TE85L,F)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor

Descripción:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 14441 Pieces

Ficha de datos:: HN4A06J(TE85L,F).pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Paquete del dispositivo:	SMV
Serie:	-
Potencia - Max:	300mW
embalaje:	Original-Reel®
Paquete / Cubierta:	SC-74A, SOT-753
Otros nombres:	HN4A06J(TE85LF)DKR
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	HN4A06J(TE85L,F)
Frecuencia - Transición:	100MHz
Descripción ampliada:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Descripción:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	200 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max):	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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