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HN3C10FUTE85LF
- Número de pieza:
- HN3C10FUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANSISTOR NPN US6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19432 Pieces
- Ficha de datos:
- HN3C10FUTE85LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HN3C10FUTE85LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HN3C10FUTE85LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 12V |
|---|---|
| Tipo de transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | US6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | HN3C10FUTE85LFCT |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| La figura de ruido (dB Typ @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HN3C10FUTE85LF |
| Ganancia: | 11.5dB |
| Frecuencia - Transición: | 7GHz |
| Descripción ampliada: | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| Descripción: | TRANSISTOR NPN US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 20mA, 10V |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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