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HN2C01FEYTE85LF
- Número de pieza:
- HN2C01FEYTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19810 Pieces
- Ficha de datos:
- HN2C01FEYTE85LF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HN2C01FEYTE85LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HN2C01FEYTE85LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | ES6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | HN2C01FEYTE85LFCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HN2C01FEYTE85LF |
| Frecuencia - Transición: | 60MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Descripción: | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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