HN1C01FE-GR,LF
HN1C01FE-GR,LF
Número de pieza:
HN1C01FE-GR,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14193 Pieces
Ficha de datos:
HN1C01FE-GR,LF.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HN1C01FE-GR,LF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HN1C01FE-GR,LF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar HN1C01FE-GR,LF con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor:2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo:ES6
Serie:-
Potencia - Max:100mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:HN1C01FE-GR (5L,F,T
HN1C01FE-GR(5L,F,T
HN1C01FE-GR(5LFTTR
HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND
HN1C01FE-GR,LF(B
HN1C01FE-GR,LF(T
HN1C01FE-GRLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:HN1C01FE-GR,LF
Frecuencia - Transición:80MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Descripción:TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios