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Casa > Productos > Power Management IC > IC de gestión de energía - Controladores de puerta > HIP6601BECBZA
HIP6601BECBZA
HIP6601BECBZA
Número de pieza:
HIP6601BECBZA
Fabricante:
Intersil
Descripción:
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12419 Pieces
Ficha de datos:
HIP6601BECBZA.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HIP6601BECBZA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HIP6601BECBZA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Suministro de voltaje:10.8 V ~ 13.2 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC-EP
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):20ns, 20ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 125°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:HIP6601BECBZA
Tensión lógica - VIL, VIH:-
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap):15V
Tipo de Puerta:N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
Configuración impulsada:Half-Bridge
Descripción:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):-
Corriente de carga:Synchronous
Email:[email protected]

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