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HFA06TB120S
- Número de pieza:
- HFA06TB120S
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16836 Pieces
- Ficha de datos:
- HFA06TB120S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HFA06TB120S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HFA06TB120S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3V @ 6A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | HEXFRED® |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 80ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | *HFA06TB120S VS-HFA06TB120S VS-HFA06TB120S-ND VSHFA06TB120S VSHFA06TB120S-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | HFA06TB120S |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Surface Mount D2PAK |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 6A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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