HBDM60V600W-7
HBDM60V600W-7
Número de pieza:
HBDM60V600W-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18456 Pieces
Ficha de datos:
HBDM60V600W-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):65V, 60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor:NPN, PNP
Paquete del dispositivo:SOT-363
Serie:-
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:HBDM60V600W7
HBDM60V600WDITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:HBDM60V600W-7
Frecuencia - Transición:100MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Descripción:TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):100nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA, 600mA
Email:[email protected]

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