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HAT2165H-EL-E
- Número de pieza:
- HAT2165H-EL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13473 Pieces
- Ficha de datos:
- HAT2165H-EL-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para HAT2165H-EL-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para HAT2165H-EL-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | LFPAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 30W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | HAT2165H-EL-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5180pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 33nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 55A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 55A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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