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H7N1002LS-E
- Número de pieza:
- H7N1002LS-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V LDPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16301 Pieces
- Ficha de datos:
- H7N1002LS-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para H7N1002LS-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para H7N1002LS-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-LDPAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10 mOhm @ 37.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-83 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | H7N1002LS-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9700pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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