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GWM160-0055P3
- Número de pieza:
- GWM160-0055P3
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15561 Pieces
- Ficha de datos:
- GWM160-0055P3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GWM160-0055P3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GWM160-0055P3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | ISOPLUS-DIL™ |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| Potencia - Max: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | ISOPLUS-DIL™ |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | GWM160-0055P3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160A |
| Email: | [email protected] |
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